给出两种离子注入掺杂用到的掩膜

离子注入掺杂是一种常见的半导体工艺，用于改变半导体材料的电学特性。在离子注入的过程中，需要使用掩膜来选择性地控制离子的注入位置。以下是两种常用的掩膜材料：

1. 光刻胶（Photoresist）掩膜：光刻胶是一种覆盖在半导体表面的光敏感材料。首先，在半导体表面涂覆一层光刻胶，然后通过光刻技术，将光刻胶暴露在紫外光下，形成预定图案。接着，利用化学腐蚀或离子刻蚀等方法，将未曝光的光刻胶去除，形成掩膜。最后，利用离子注入设备，选择性地将离子注入到暴露的半导体表面。光刻胶掩膜具有较高的分辨率和精度，广泛应用于微电子工艺中。

2. 金属掩膜：金属掩膜通常用于高能离子注入。金属掩膜的制作过程相对简单，可以通过物理蒸镀或电子束蒸镀等方法，在半导体表面形成一层金属薄膜。然后，使用光刻和蚀刻技术，将金属膜去除部分形成预定图案，形成掩膜。金属掩膜可以提供较高的注入精度和较高的耐辐照性能，适用于一些特殊的离子注入应用。

这两种掩膜材料在离子注入掺杂中具有不同的特点和应用范围，具体选择取决于工艺需求和设备条件。